墨烯推S配石片紫光闪存散热

紫光闪存推出UNIS SSD S5以及UNIS SSD S5 Ultra系列PCIe 5.0 SSD，紫光均搭载3D TLC NAND闪存并配备了1mm石墨烯散热配件，闪存石墨分别采用无缓存和有缓存设计。烯散

紫光闪存宣布推出UNIS SSD S5以及UNIS SSD S5 Ultra系列PCIe 5.0 SSD，热片两者均搭载3D TLC NAND闪存，紫光配备了1mm石墨烯散热配件，闪存石墨分别采用无缓存和有缓存设计。烯散紫光闪存表示，热片新产品将凭借优异的紫光性能参数，超速的闪存石墨动力，致力于满足消费者不同需求，烯散解锁AI无限可能。热片

UNIS SSD S5系列采用了M.2 2280规格单面设计，不仅能与市面上绝大多数主板完美适配，闪存石墨还具有出色的烯散散热表现。其搭载了12nm工艺制造的主控芯片，PCIe 5.0 x4通道，基于DRAM-less设计，利用HMB（Host Memory Buffer）动态缓存功能，借助主机系统内存来临时存储数据，并搭载SLC Cache。UNIS SSD S5系列最大顺序读取速度为14900MB/s，最大顺序写入速度为12900MB/s，4K随机读取可达1800K IOPS，4K随机写入可达1700K IOPS，1TB和2TB的质保写入量分别为600TBW和1200TBW，近乎触及PCIe 5.0标准的性能天花板。

UNIS SSD S5 Ultra系列采用了M.2 2280双面设计，外观设计更具科技感。其PCBA融入独特的线条元素，勾勒出富有层次感的外观轮廓。同时PCBA经过特殊工艺处理，一方面保证了坚固性，另一方面优化了散热效果。其搭载了6nm工艺制造的主控芯片，PCIe 5.0 x4通道，搭配独立缓存，进一步提升了运算能力和数据处理速度。UNIS SSD S5 Ultra系列最大顺序读取速度为14200MB/s，最大顺序写入速度为13400MB/s，4K随机读取可达1700K IOPS，4K随机写入可达1600K IOPS，2TB和4TB的质保写入量分别为1200TBW和2400TBW，更加注重生产力方面的赋能。

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